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ASML首席技术官马丁·范登·布林克最近接受了bitsap奇普斯在接受采访时表示，该公司目前正在有条不紊地实施其路线图，其次是高NA EUV技术ASML正准备向客户交付第一台高NA EUV光刻机，这可能会在明年某个时候完成马丁认为这一目标将会实现，尽管供应链问题仍可能扰乱这一计划

本站了解到NA叫数值孔径，是光学镜头的一个重要指标一般情况下，光刻机设备会明确标出这个指标的值当光源波长一定时，NA的大小直接决定了光刻机的实际分辨率，也决定了光刻机能达到的最高工艺节点高NA EUV是下一代光刻设备，与现有的EUV光刻设备相比，可以雕刻更精细的电路被认为是改变游戏规则的设备，将决定3 nm以下OEM市场技术竞争的胜负

Van den Brink说，到目前为止，开发高—高—NA技术的最大挑战是为EUV光学建立计量工具高NA反射镜的尺寸是其前身的两倍，并且需要在20皮米内保持平坦这需要在一个大到足以装下半个公司的真空容器中进行验证，这个容器位于蔡司公司

与现有的EUV光刻机相比，高NA EUV光刻的功耗从1.5 MW增加到2 MW主要是因为光源的原因，高NA使用同样的光源，需要额外0.5 MWASML也使用水冷铜线为其供电

至于高NA EUV技术后的技术方案，马丁表示，ASML正在研究波长缩减，但他个人不认为Hyper—NA是可行的他们正在研究它，但这并不意味着它将投入生产怀疑马丁高NA会是最后一个NA，目前的半导体光刻之路可能已经走到尽头

高NA EUV系统将提供0.55的数值孔径与之前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度将得到提高，并且可以实现更高分辨率的构图，以实现更小的晶体管特征在Hyper—NA系统中会高于0.7甚至0.75，理论上可以做到技术上也可以做到但是如果超钠的成本增长和高钠一样快，那么它在经济上几乎是不可行的因此，Hyper—NA研究项目的主要目标是提出智能解决方案，以保持技术在成本和可制造性方面的可控性

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