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业内称台积电将在2年内商业化CoWoS-L技术

2022-05-21 16:52| 发布者: 子墨| 查看: 51703| 评论: 0|来自: IT之家  阅读量:12091   

摘要:据业内人士透露,TSMC已经确定,其最新的CoWoS工艺变体CoWoS—L是2.5D封装的唯一解决方案,其尺寸是全掩模尺寸的4倍它正在与HPC芯片客户合作,共同应对基板侧的挑战,预计2023—2024年开始商业化生产 ...

据业内人士透露,TSMC已经确定,其最新的CoWoS工艺变体CoWoS—L是2.5D封装的唯一解决方案,其尺寸是全掩模尺寸的4倍它正在与HPC芯片客户合作,共同应对基板侧的挑战,预计2023—2024年开始商业化生产

据《电子时报》报道,CoWoS—L是TSMC专门为人工智能训练芯片设计的据其介绍,这种工艺结合了TSMC CoWoS—S和信息技术的优势,通过一个中间层,一个用于芯片间互连的本地硅互连芯片,一个用于电源和信号传输的RDL层,提供了最灵活的集成

消息人士称,TSMC的CoWoS技术是一种专门为HPC设备应用设计的2.5D晶圆级多芯片封装技术,已经投产近10年凭借CoWoS,TSMC赢得了AMD等高性能计算处理器供应商的大量订单

TSMC传统的带硅夹层的CoWoS技术已经进入第五代CoWoS—S的硅内插器可以达到全掩模尺寸的2倍以上,集成了领先的SoC芯片和超过4个HBM2/HBM2E堆栈

在TSMC为第71届IEEE电子元件和技术大会提交的论文中,该公司介绍了CoWoS—S5技术,该技术采用了一种新颖的双向光刻拼接方法三倍于全掩模尺寸允许硅内插器容纳1200mm2的多个逻辑芯片和八个HBM堆叠除了增加了硅夹层的尺寸,还增加了新的功能,与之前的CoWoS—S组合相比,进一步增强了CoWoS—S5的电学和热学性能

TSMC还提供了CoWoS—R,这是利用其信息技术的CoWoS工艺的变体,通过使用RDL层来实现芯片之间的互连,特别是在HBM和SoC的异构集成中RDL层由聚合物和微量铜组成,具有相对的机械柔性

消息人士称,尽管大众市场对消费电子设备的需求最近变得越来越不确定,但对HPC芯片的需求仍大有可为TSMC的增强型CoWoS—S封装和—R和—L工艺变体将能够满足客户对其高性能计算产品的不同要求2022年第一季度,HPC芯片订单超过智能手机,成为TSMC最大的收入贡献者,这将推动其今年的纯OEM收入增长

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