中国苏州，2022年11月23日——西科半导体科技有限公司在苏州纳米科技城举行碳化硅外延片生产新闻发布会公司创始人兼总经理陆丽萍在会上宣布，公司采用国产衬底和国产外延设备生产的6英寸SiC外延片，最近几天通过了两家权威机构的双重检验，质量可与国际巨头SiC外延片媲美，创下了中国碳化硅行业无可争议的新纪录

苏州工业园区党工委委员，管委会副主任倪淦，苏州纳米城科技发展有限公司董事，总裁张淑梅，中国电子材料协会副理事长童渊，南京大学教授，固体微结构物理国家重点实验室主任陈延峰，中国冶金自动化研究设计院教授级高工高大，以及产业投资人， 客户和众多碳化硅领域上下游代表应邀出席了当天的发布会，共同见证了中国碳化硅行业的这一历史时刻。

目前，半导体装备已经成为我国高技术产业国产化的瓶颈之一，严重制约了我国企业在半导体核心材料产业化方面追赶国际企业的步伐最近几年来，如何实现关键技术的突破，实现国产化替代的进程，已成为我国半导体行业面临的重要课题可喜的是，在国家的高度重视和大力支持以及行业各方的共同努力下，国产设备正在逐步崛起希科尔半导体在SiC外延片技术研发上取得的突破，是纯国产设备和完全自主的先进技术，显示了国内企业振兴中国半导体产业的信心和决心，也让与会的专家和领导倍感振奋

总经理陆丽萍介绍，一年来，希科尔半导体公司成功调试购买的国产卧式外延炉，成功调试国产测量设备，并与进口测量设备完成标杆校准，填补了行业空白，最近几天，公司进一步实现了国产立式外延炉的成功调试，完成了相同外延工艺下国产衬底原料与进口衬底的对比试验至此，希科尔半导体实现了工艺设备，测量设备，关键原材料三位一体的国产化，彻底，干净，彻底地解决了国外产品的卡脖子问题所有这些成就都是中国碳化硅行业的新纪录

早在今年9月底，希科尔半导体就公布了独特产业化工艺生产的6英寸外延片通过行业权威企业欧视材料科技有限公司和宽带隙半导体电力电子器件国家重点实验室双重检验的数据结果表明，国产衬底和外延设备可以生产出与国际厂商相当的SiC外延片伴随着希科尔半导体的大规模投产，将改变碳化硅外延材料行业一直以进口设备和衬底材料为主的现状，为下游芯片企业提供质量更好，成本更低，供应更有保障的核心原材料，为我国新能源产业发展和双碳战略目标的实现做出应有的贡献

根据消息显示，SiC外延是半导体器件生产过程中一个非常基础但又至关重要的核心步骤所谓SiC外延片，是指碳化硅晶片，其上生长有一定要求的单晶薄膜，并与衬底同晶在实际应用中，半导体器件和器件是在外延层上制作的，而碳化硅晶片本身只是作为衬底因此，外延的质量对器件的性能有很大的影响外延的质量受晶体和衬底加工的影响，处于行业的中间，对行业的发展起着关键作用长期以来，SiC外延生产设备和技术被欧美等发达国家垄断国内同行一直在积极研发国产设备和生产技术，以解决我国生产第三代半导体SiC器件的关键工艺设备全部依赖进口的瓶颈问题

与会的园区领导和行业专家也对希科尔半导体的产业突破给予了高度评价，并对其实现关键工艺机全部国产化，测量机全部国产化寄予厚望专家认为，希科尔半导体在产量和R&D方面的这一系列突破，为公司自身发展和整个外延工艺行业摆脱国外技术封锁奠定了良好的基础

科半导体公司成立于2021年8月，位于苏州工业园区纳米城第三代半导体产业园，也是苏州纳米城引进的重要产业代表之一公司自成立以来，始终专注于碳化硅产业链中外延片的关键环节核心团队拥有多年资深R&D经验和世界级厂商的管理经验，还储备了多项自主知识产权公司创始人兼总经理陆丽萍具有丰富的工业设计和施工经验是国内最早从事SiC技术研发和产业化的技术人才，拥有多项发明专利和实用新型专利

在新闻发布会上，陆丽萍总经理向出席新闻发布会的各位领导和嘉宾表示感谢他表示，希科尔半导体公司能够在成立后短短一年内取得里程碑式的进展，是基于中国芯片产业的发展潜力和机遇，包括苏州工业园区和纳米城的大力支持

最近几年来，伴随着新能源和双碳产业的兴起，碳化硅行业面临井喷的市场机遇苏州纳米城，凭借对国家政策的抢先理解，树立了卓越的服务支持理念，构建了完善的半导体产业基础设施目前已经成为中国芯片产业的聚集地这里地理位置优越，交通便利，教育，医疗等生活设施到位，帮助越来越多的外地创业者首先在这里生活和工作

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